TW030N120C 替代型号

Toshiba TW030N120C 的替代料号：B2M030120H（功能替代）。参数对比与样品申请。

• B2M030120H SiC MOSFET B2M030120H — 功能替代 SiC MOSFET，1200V，TO-247-3，RDS(on)典型值 mΩ：竞品→基本 30→30；低阻替代须核对电荷、驱动和成本；基本半导体依据：附件2026Q4选型手册；竞品原厂：https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html；上板前核对完整料号、引脚尺寸、额定值、热设计、动态损耗及栅极驱动。