TW015Z120C 替代型号

Toshiba TW015Z120C 的替代料号：B3M013C120Z（功能替代）。参数对比与样品申请。

• B3M013C120Z SiC MOSFET B3M013C120Z — 功能替代 SiC MOSFET，1200V，TO-247-4系列，RDS(on)典型值 mΩ：竞品→基本 15→13.5；注意低阻候选的栅极电荷与引脚尺寸；基本半导体依据：附件2026Q4选型手册；竞品原厂：https://toshiba.semicon-storage.com/us/company/news/2023/08/sic-power-devices-20230831-1.html；上板前核对完整料号、引脚尺寸、额定值、热设计、动态损耗及栅极驱动。