IMW120R060M1H 替代型号

Infineon IMW120R060M1H 的替代料号：B2M065120H（功能替代）。参数对比与样品申请。

• B2M065120H SiC MOSFET B2M065120H — 功能替代 SiC MOSFET，1200V，RDS(on)典型值 mΩ：竞品→基本 60→65；测试栅压和最大值可能不同；基本半导体依据：附件2026Q4选型手册；竞品原厂：https://www.infineon.com/part/IMW120R060M1H；上板前核对完整料号、引脚尺寸、额定值、热设计、动态损耗及栅极驱动。；基本65mΩ高于竞品60mΩ，须按实际驱动电压与最高结温核算损耗。