FF8MR12W1M1H-B70 替代型号

Infineon FF8MR12W1M1H-B70 的替代料号：BMF008MR12E2G3（功能替代）。参数对比与样品申请。

• BMF008MR12E2G3 SiC功率模块 BMF008MR12E2G3 — 功能替代 1200V SiC MOSFET半桥模块，RDS(on)典型值竞品→基本 8→8.1mΩ；Easy 2B系列与基本E2B仍须确认安装与端子；检查冷却方式、隔离、外形、驱动与端子；资料：附件2026Q4手册；竞品原厂 https://www.infineon.com/part/FF8MR12W1M1H-B70；请核对完整数据手册的极限值、测试条件、引脚、散热和动态性能。