BMF011MR12E1G3
SiC功率模块 BMF011MR12E1G3
1200V Pcore™2 E1B 半桥 SiC模块
| 额定电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 额定电流 ID | 120 A |
| 导通电阻 RDS(on) | 11 mΩ |
| 拓扑 | 半桥 |
| 封装 | Pcore™2 E1B |
| 等级 | 工业级 |
- RDS(on)@25℃
- IDnom源表标称电流
- Press-Fit
- VGS推荐值+18/-4 V
- 不同版本资料参数有差异，详见填写说明
可替代：Infineon FF17MR12W1M1H-B11
SiC功率模块 BMF011MR12E1G3
1200V Pcore™2 E1B 半桥 SiC模块
| 额定电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 额定电流 ID | 120 A |
| 导通电阻 RDS(on) | 11 mΩ |
| 拓扑 | 半桥 |
| 封装 | Pcore™2 E1B |
| 等级 | 工业级 |
可替代：Infineon FF17MR12W1M1H-B11