B3M010C075H
SiC MOSFET B3M010C075H
750V TO-247-3 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 750 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 10 mΩ |
| 连续漏极电流 ID@25°C | 240 A |
| 栅极电荷 QG | 220 nC |
| 封装 | TO-247-3 |
| 等级 | 工业级 |
- 源表电流为ID@25℃
- RDS(on)和Qg测试条件以规格书为准
可替代：Infineon IMZA75R008M1H
SiC MOSFET B3M010C075H
750V TO-247-3 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 750 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 10 mΩ |
| 连续漏极电流 ID@25°C | 240 A |
| 栅极电荷 QG | 220 nC |
| 封装 | TO-247-3 |
| 等级 | 工业级 |
可替代：Infineon IMZA75R008M1H