B3M007C120Y
SiC MOSFET B3M007C120Y
1200V TO-247PLUS-4 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 7 mΩ |
| 封装 | TO-247PLUS-4 |
- 来源：基本半导体官网
- 其他参数待确认
可替代：Infineon IMZA120R007M1H
SiC MOSFET B3M007C120Y
1200V TO-247PLUS-4 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 7 mΩ |
| 封装 | TO-247PLUS-4 |
可替代：Infineon IMZA120R007M1H