AB3M040120CQ
SiC MOSFET AB3M040120CQ
1200V QDPAK 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 40 mΩ |
| 连续漏极电流 ID@25°C | 64 A |
| 栅极电荷 QG | 88 nC |
| 封装 | QDPAK |
| 等级 | 车规级 |
- 源表电流为ID@25℃
- RDS(on)和Qg测试条件以规格书为准
SiC MOSFET AB3M040120CQ
1200V QDPAK 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 40 mΩ |
| 连续漏极电流 ID@25°C | 64 A |
| 栅极电荷 QG | 88 nC |
| 封装 | QDPAK |
| 等级 | 车规级 |