AB2M040120R
SiC MOSFET AB2M040120R
1200V TO-263-7 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 40 mΩ |
| 连续漏极电流 ID@25°C | 58 A |
| 栅极电荷 QG | 90 nC |
| 封装 | TO-263-7 |
| 等级 | 车规级 |
- 源表电流为ID@25℃
- RDS(on)和Qg测试条件以规格书为准
SiC MOSFET AB2M040120R
1200V TO-263-7 碳化硅MOSFET
| 漏源电压 VDS | 1200 V |
|---|---|
| 导通电阻 RDS(on) | 40 mΩ |
| 连续漏极电流 ID@25°C | 58 A |
| 栅极电荷 QG | 90 nC |
| 封装 | TO-263-7 |
| 等级 | 车规级 |